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    福州晴天電線電纜有限公司

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    KVVP2-22控制電纜中銅帶屏蔽工藝

    信息來源:www.xg2020zvru.icu | 發布時間:2020年11月06日

    KVVP2-22控制電纜所用的銅帶必須是韌煉充分的軟銅帶,兩邊不允許有卷邊或裂口等缺陷。銅帶太硬會割破外半導電層,太軟也容易發皺。繞包時,繞包頭角度要調好,包帶張力控制適當,避免張力過緊。因電纜通電時,絕緣會發熱而有所膨脹,若銅帶繞的太緊話,有可能造成銅帶嵌入絕緣屏蔽,或繃斷銅帶。屏蔽機收線盤的兩側應用軟質材料襯墊,否則,容易造成兩側銅帶在本道或下道工序軋傷,嚴重時,破裂銅帶會刺入外屏蔽乃至絕緣,造成擊穿。銅帶接頭應采用點焊,不宜采用錫焊,更不能采用插接或膠帶粘結或其他的一些等不規范操作。

    KVVP2-22控制電纜

    銅帶搭蓋繞包形式,在電纜運行時金屬屏蔽層間由于其接觸面產生氧化物,以及彎曲冷熱變形后減少了接觸壓力,會造成接觸電阻成倍增加,影響短路電流的容量和短路電流的導通。接觸不佳再加上熱脹冷縮彎曲變形,將會直接損傷外半導電層。銅帶金屬屏蔽應與半導電層緊密接觸,使之良好接地,但由于過熱膨脹會導致銅帶弓形膨脹變形以及半導電層損傷,所有的這些情況造成的不佳接地均會使電纜局放性能下降。
    如果銅帶屏蔽層斷裂或銅帶接頭處焊接不佳導致斷裂,則有可能從銅帶屏蔽層非接地端流向接地端的充電電流會在銅帶屏蔽層斷裂處強行通過外半導電層流過,該處外半導電層發熱,溫度上升。此時溫度會很高,使銅帶屏蔽層斷裂處的外半導電層急劇老化。如果上述狀態持續繼續發展,外半導電層的電阻進一步增大,在銅帶屏蔽層斷裂處,銅帶屏蔽層非接地端與接地端之間產生的電位差的作用下,產生的放電現象進一步加速電纜從絕緣體表層開始老化。因此,在銅帶屏蔽層斷裂后,其斷裂處電纜絕緣會在較短時間內產生老化,直至絕緣破壞。由此可見銅帶屏蔽工藝在中壓電纜生產過程中也是相當重要的。銅帶屏蔽工藝
    屏蔽所用的銅帶必須是韌煉充分的軟銅帶,兩邊不允許有卷邊或裂口等缺陷。銅帶太硬會割破外半導電層,太軟也容易發皺。繞包時,繞包頭角度要調好,包帶張力控制適當,避免張力過緊。因電纜通電時,絕緣會發熱而有所膨脹,若銅帶繞的太緊話,有可能造成銅帶嵌入絕緣屏蔽,或繃斷銅帶。屏蔽機收線盤的兩側應用軟質材料襯墊,否則,容易造成兩側銅帶在本道或下道工序軋傷,嚴重時,破裂銅帶會刺入外屏蔽乃至絕緣,造成擊穿。銅帶接頭應采用點焊,不宜采用錫焊,更不能采用插接或膠帶粘結或其他的一些等不規范操作。
    銅帶搭蓋繞包形式,在電纜運行時金屬屏蔽層間由于其接觸面產生氧化物,以及彎曲冷熱變形后減少了接觸壓力,會造成接觸電阻成倍增加,影響短路電流的容量和短路電流的導通。接觸不佳再加上熱脹冷縮彎曲變形,將會直接損傷外半導電層。銅帶金屬屏蔽應與半導電層緊密接觸,使之良好接地,但由于過熱膨脹會導致銅帶弓形膨脹變形以及半導電層損傷,所有的這些情況造成的不佳接地均會使電纜局放性能下降。
    如果銅帶屏蔽層斷裂或銅帶接頭處焊接不佳導致斷裂,則有可能從銅帶屏蔽層非接地端流向接地端的充電電流會在銅帶屏蔽層斷裂處強行通過外半導電層流過,該處外半導電層發熱,溫度上升。此時溫度會很高,使銅帶屏蔽層斷裂處的外半導電層急劇老化。如果上述狀態持續繼續發展,外半導電層的電阻進一步增大,在銅帶屏蔽層斷裂處,銅帶屏蔽層非接地端與接地端之間產生的電位差的作用下,產生的放電現象進一步加速電纜從絕緣體表層開始老化。因此,在銅帶屏蔽層斷裂后,其斷裂處電纜絕緣會在較短時間內產生老化,直至絕緣破壞。由此可見銅帶屏蔽工藝在中壓電纜生產過程中也是相當重要的。
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